日本SiC半導体製造市場：住友金属鉱山による300mm基板のブレークスルーと三菱電機による200mm生産の拡大が日本のSiCサプライチェーンを再編成
出典：ドリームニュース
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日本のSiC半導体製造市場において、住友金属鉱山が300mm基板の製造に成功し、ブレークスルーを達成しました。この技術革新は、日本のSiCサプライチェーンにおいて重要な影響を与えると期待されています。一方、三菱電機は200mm基板の生産を拡大しており、これにより国内のSiC半導体の供給能力が向上します。これらの動きは、今後の日本の半導体産業における競争力を高める要因となるでしょう。
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